Đặc tính điện
| Cấp | Hiệu quả(%) | Pmpp(W) | Vmp(V) | Imp(A) | Voc(V) | Isc(A) | FF(%) |
| 1 | 23.1 | 6.34 | 0.597 | 10.62 | 0.693 | 11.151 | 82.1 |
| 2 | 23 | 6.31 | 0.596 | 10.6 | 0.692 | 11.132 | 82.01 |
| 3 | 22.9 | 6.28 | 0.595 | 10.58 | 0.691 | 11.112 | 81.98 |
| 4 | 22.8 | 6.25 | 0.594 | 10.55 | 0.69 | 11.097 | 81.84 |
| 5 | 22.7 | 6.22 | 0.593 | 10.52 | 0.689 | 11.077 | 81.74 |
| 6 | 22.6 | 6.2 | 0.592 | 10.49 | 0.688 | 11.056 | 81.64 |
| 7 | 22.5 | 6.17 | 0.591 | 10.46 | 0.687 | 11.036 | 81.54 |
| 8 | 22.4 | 6.14 | 0.59 | 10.42 | 0.686 | 11.021 | 81.32 |
| 9 | 22.3 | 6.11 | 0.589 | 10.4 | 0.685 | 11.001 | 81.29 |
| 10 | 22.2 | 6.09 | 0.588 | 10.37 | 0.684 | 10.981 | 81.18 |
| 11 | 22.1 | 6.07 | 0.587 | 10.34 | 0.683 | 10.96 | 81.08 |
| Trong điều kiện thử nghiệm tiêu chuẩn: 1000W/㎡,AM1.5, 25oC Hệ số nhiệt độ Hệ số nhiệt độ của điện áp mạch hở: -0,36%/K Hệ số nhiệt độ dòng ngắn mạch: 0,07%/K Hệ số nhiệt độ công suất cực đại: -0,38%/K | |||||||
Đặc tính cơ học
| Kích thước: 166mm×166mm±0,25mm; Độ dày tế bào: 180±20µm |
| Mặt trước: Lớp phủ chống phản chiếu hợp chất silicon nitride màu xanh oxit silic (Không chứa PID); Chiều rộng của thanh cái là 0,1±0,05mm; Đầu thanh cái bị chẻ đôi; Số ngón tay là 128; Mặt trước của pin mặt trời được thiết kế dạng nửa tấm |
| Mặt sau: Tiếp điểm phía sau Bộ phát thụ động (AIOx và SiNx hai lớp); Chiều rộng và chiều dài của điện cực Ag là 1,1 ± 0,1mm và số lượng thanh cái bằng nhôm là 9; Số ngón tay nhôm là 134; |
| Độ hàn: (Độ bền vỏ) ≥1,0N/mm Kết quả có thể thay đổi tùy theo điều kiện |
